![]() |
||
|
|
|
|
|
|
¹ÝµµÃ¼¿¡¼´Â Áø¼º ¹ÝµµÃ¼(intrinsic semiconductor)¿Í Áø¼º ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ´Ü°áÁ¤¿¡ ¹Ì·®ÀÇ ºÒ¼ø¹°Àº È¥ÇÕÇÑ ºÒ¼ø¹° ¹ÝµµÃ¼(extrinsic semiconductor)°¡ ÀÖ´Ù. ¶Ç, ºÒ¼ø¹° ¹ÝµµÃ¼¿¡´Â ±× ºÒ¼ø¹°ÀÇ Á¾·ù¿¡ µû¶ó °¢°¢ ´Ù¸¥ ¼ºÁúÀ» ³ªÅ¸³»´Â pÇü ¹ÝµµÃ¼¿Í nÇü ¹ÝµµÃ¼°¡ ÀÖ°í, À̸¦ ¸ðµÎ°¡ Áø¼º ¹ÝµµÃ¼º¸´Ù µµÀü¼ºÀÌ ³ô´Ù.
±×¸² 1-38°ú °°ÀÌ 4°¡ÀÇ ±Ô¼Ò(Si) ¿øÀÚ¿¡ ¾ÈƼ¸ó(Sb)°ú °°Àº 5°¡ÀÇ ¿øÀÚ¸¦ ¹Ì·®È¥ÇÕÇϸé, °áÁ¤ÀÇ ¸ð¾çÀº º¯ÇÏÁö ¾ÊÀ¸³ª ÀϺÎÀÇ ±Ô¼Ò ¿øÀÚ°¡ ÀÖ´ø À§Ä¡¿¡ ¾ÈƼ¸óÀÇ ¿øÀÚ·Î ¹Ù²î¾î ³õ¿©Á®¼, 5°³ÀÇ °¡ÀüÀÚ Áß 4°³´Â ¿ø·¡ÀÇ ±Ô¼Ò¿Í °áÇÕÇÒ ¼ö°¡ ÀÖ´Ù. ±×·¯³ª 1°³ÀÇ ÀüÀÚ´Â ³²°Ô µÇ¸ç, ÀÌ°ÍÀ» °úÀ× ÀüÀÚ(excess electron)¶ó ÇÑ´Ù. ÀÌ °úÀ× ÀüÀÚ¸¦ ¸¸µå´Â ºÒ¼ø¹°À» µµ³Ê(dunor)¶ó ÇÏ°í, ±× ÁØÀ§¸¦ µµ³Ê ÁØÀ§(donor level)¶ó ÇÑ´Ù. ±×¸² 1-39¿¡ ³ªÅ¸³½ ¹Ù¿Í °°ÀÌ °úÀ× ÀüÀÚ´Â ±Ù¼ÒÇÑ ¿¡³ÊÁö¸¦ ¹ÞÀ¸¸é, Àüµµ´ë·Î ¿Ã¶ó°¡¼ Àüµµ ÀüÀÚ°¡ µÇ´Â ÇÑÆí, ¸ÕÀúÀÇ µµ³Ê ¿øÀÚ´Â ¾çÀÌ¿ÂÀÌ µÈ´Ù. ÀÌ¿Í °°ÀÌ ¹Ý¼ÛÀÚÀÇ ´ëºÎºÐÀÌ ÀüÀÚÀÎ ¹ÝµµÃ¼¸¦ nÇü ¹ÝµµÃ¼(n-type semiconductor)¶ó ÇÑ´Ù.
±×¸² 1-40°ú °°ÀÌ, nÇü ¹ÝµµÃ¼¿¡ ¾²ÀÎ 5°¡ÀÇ ºÒ¼ø¹° ¿ø¼Ò ´ë½Å ¿¡ °¥·ý(Ga)°ú °°Àº 3°¡ÀÇ ¿ø¼Ò¸¦ ¹Ì·® È¥ÇÕÇϸé, °¥·ýÀÇ °¡ÀüÀÚ´Â 3°³¹Û¿¡ ¾øÀ¸¹Ç·Î ±Ô¼Ò°ú °áÇÕÇϱ⿡´Â ÀüÀÚ 1°³°¡ ºÎÁ·ÇÏ¿© Á¤°øÀÌ »ý±â¹Ç·Î, ºÒ¼ø¹° ¹ÝµµÃ¼ ´ëºÎºÐÀÇ ¹Ý¼ÛÀÚ´Â Á¤°øÀÌ µÈ´Ù. ÀÌ¿Í °°ÀÌ Á¤°øÀ» ¸¸µé±â À§ÇÑ ºÒ¼ø¹°À» ¾ï¼ÁÅÍ(acceptor)¶ó Çϸç, ´ëºÎºÐÀÇ ¹Ý¼ÛÀÚ°¡ Á¤°øÀÎ ºÒ¼ø¹° ¹ÝµµÃ¼¸¦ pÇü ¹ÝµµÃ¼¶ó ÇÑ´Ù. ±×¸² 1-41Àº pÇü ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ¿¡³ÊÁö´ë ±¸Á¶¸¦ ³ªÅ¸³½ °ÍÀ¸·Î, Ã游´ëº¸´Ùµµ Á¶±Ý ³ôÀº °÷¿¡ »õ·Î¿î ¾ï¼ÁÅÍ ÁØÀ§(acceptor level)°¡ ÀÖ°Ô µÈ´Ù. µû¶ó¼, »ó¿Â¿¡¼µµ Ã游´ëÀÇ ÀüÀÚ´Â ¾ï¼ÁÅÍ ÁØÀ§·Î ¿Ã¶ó°¡¸ç, Ã游´ë¿¡´Â Á¤°øÀÌ »ý°Ü ÀÌ°ÍÀÌ ¹Ý¼ÛÀÚ°¡ µÈ´Ù. ÀÌ ¶§, ¾ï¼ÁÅÍ ¿øÀÚ´Â À½ÀÌ¿ÂÀÌ µÈ´Ù. ¾Õ¿¡¼ ¼³¸íÇÑ ¹ÝµµÃ¼ÀÇ µµÀü¼º¿¡ ´ëÇØ Á¤¸®ÇÏ¸é ´ÙÀ½°ú °°´Ù. (¤¡) Áø¼º ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ¹Ý¼ÛÀÚ´Â °°Àº ¼öÀÇ ÀüÀÚ¿Í
Á¤°øÀ¸·Î ÇÑ´Ù. À̵éÀÇ °æ¿ì, ÀüÀÚ¿Í Á¤°ø Áß¿¡¼ ¸¹Àº ÆíÀÇ ¹Ý¼ÛÀÚ¸¦ ´Ù¼ö ¹Ý¼ÛÀÚ(majority carrier)¶ó ÇÏ°í, ÀûÀº ÆíÀÇ ¹Ý¼ÛÀÚ¸¦ ¼Ò¼ö ¹Ý¼ÛÀÚ(minority carrier)¶ó ÇÑ´Ù. |