연습문제-고체내의 전자운동

도체의 양단에 전위차를 만들어 주면 자유 전자는 어떤 방향으로 움직이게 되나?

1) 전위가 낮은 쪽으로 움직인다.
2) 전위가 높은 쪽으로 움직인다.
3) 불규칙하게 움직인다.
4) 도체 저항이 크면 전위가 낮은 쪽으로 움직이며 낮으면 높은 쪽으로 움직인다.
도체의 단면적을 A[m²], 전류의 밀도를 n[개/m³], 전자의 평균 이동속도를 v[m/s]라 하면 그 단면을 매초 통과하는 전자의 개수 N은?

1) N = nAv [개/s]
2) N = Av/n [개/s]
3) N = nv/A [개/s]
4) N = 1/nAv [개/s]
금속 도체에서 10[mA]의 직류 전류가 흐르고 있다면 매초 몇 개의 전자가 이동하고 있는가? (단, e = 1.603 × 10^-19[C])

1) 6.242 × 10¹⁶ [개]
2) 7.345 × 10¹² [개]
3) 8.346 × 10⁵ [개]
4) 9.263 × 10¹² [개]
전도 전자가 한 번 충돌한 후 그 다음 충돌할 때까지의 운동거리의 평균값을 무엇이라 하는가?

1) 일함수(work function)
2) 한계 파장(threshold wavelength)
3) 평균 자유 행정(mean free path)
4) 확산 정수(diffusion constant)
전도 전자의 평균 자유 행정(mean free path)에 대한 다음 설명 중 옳지 않은 것은?

1) 전자가 이동하는 자유도를 나타내는 것
2) 보통의 금속 도체 중에서는 10^-4[m] 정도이다.
3) 진공관 내부 등과 같은 곳에서는 10[m] 이상으로 된다.
4) 금속 도체 중에서 전자가 충돌하게 되는 횟수를 말한다.
반도체의 저항률은 다음 중 어느 것인가?

1) 10^-2 ~ 10^-5 [Ωm]
2) 10² ~ 10⁵ [Ωm]
3) 10⁵ ~ 10⁸ [Ωm]
4) 10^-5 ~ 10⁸ [Ωm]
반도체의 특성이 아닌 것은?

1) 전기적 전도성은 금속과 절연체의 중간적 성질을 가지고 있다.
2) 온도가 상승함에 따라 저항은 감소한다.
3) 매우 낮은 온도에서 절연체가 된다.
4) 불순물이 섞이면 저항이 증가한다.
불순물 반도체의 설명으로 옳은 것은?

1) 불순물이 섞일수록 도전율이 증가하고, 저항 온도 계수는 (+)로 된다.
2) 불순물이 섞일수록 도전율이 감소하고, 저항 온도 계수는 (-)로 된다.
3) 불순물이 섞일수록 도전율이 증가하고, 저항 온도 계수는 (-)로 된다.
4) 불순물이 섞일수록 도전율이 감소하고, 저항 온도 계수는 (+)로 된다.
반도체의 성질로서 적당치 못 한 것은?

1) 정(+)의 온도 계수를 가진다.
2) 불순물의 혼합에 의해 저항을 바꿀 수 있다.
3) 광전 효과가 있다.
4) 홀(Hall) 효과가 있다.
원자 번호 32인 Ge 원자의 4번째 궤도에 들어있는 전자의 수는 몇 개인가?

1) 2개
2) 8개
3) 18개
4) 4개
전자의 존재를 허용하지 않는 대역을 무엇이라 하는가?

1) 허용대(Allowed band)
2) 가전자대
3) 금지대(Forbidden band)
4) 충만대
현재 개발된 반도체의 결정 구조는?

1) 금속 결합
2) 이온 결합
3) 반데르 발스 결합
4) 공유 결합
다음 중 반도체 성질과 관계가 없는 것은?

1) 제베크 효과
2) 피에조 효과
3) 홀 효과
4) 펠티에 효과
페르미(Fermi) 준위에 대해 잘 못 설명된 것은?

1) N형 반도체에서는 금지대 중앙보다 아래에 존재한다.
2) 전자로 채워질 확률이 50[%]로 되는 에너지 준위이다.
3) 절대 온도 0[。K]에서 전자가 가질 수 있는 최대 에너지이다.
4) 진성 반도체에서는 금지대 중앙에 위치한다.
진성 반도체의 페르미 준위의 위치는?

1) 온도에 관계없이 금지대의 중앙에 위치한다.
2) 금지대의 중앙에 위치하지만 온도에 관계된다.
3) 전도대 바로 밑에 위치한다.
4) 충만대 바로 위에 위치한다.
전자 결합으로 전자가 빠져나간 빈자리를 무엇이라 하는가?

1) 정공
2) 도너
3) 억셉터
4) 캐리어
진성 반도체를 바르게 설명한 것은?

1) 불순물을 함유치 않은 제 IV족의 반도체
2) 불순물을 함유한 IV족의 반도체
3) In을 함유한 제 IV족의 반도체
4) As를 함유한 제 IV족의 반도체
진성 반도체는 절대 온도 0[。K]에서 어떻게 되나?

1) 도체와 같다.
2) 절연체와 같다.
3) 몇 개의 정공과 전자를 갖는다.
4) 많은 정공을 갖는다.
자신보다 큰 원자가의 원자를 첨가하여 과잉 전자에 의해 전기 전도를 하는 반도체를 무엇이라고 하는가?

1) P-N 반도체
2) N형 반도체
3) P형 반도체
4) 진성 반도체
반도체에서 소수 반송자를 옳게 나타낸 것은 다음 중 어느 것인가?

1) P형의 정공, N형의 전자
2) P형의 정공, N형의 전공
3) P형의 전자, N형의 전자
4) P형의 전자, N형의 정공
도너(donor)를 옳게 설명한 것은?

1) 가전자가 1개 모자라는 불순물
2) 3가 원소
3) P형 반도체를 만든다.
4) N형 반도체를 만든다.
억셉터(Acceptor)는 몇 가의 원소인가?

1) 4가인 Ge
2) 4가인 Si
3) 3가인 In
4) 5가인 As
다음 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?

1) 인듐(In)
2) 갈륨(Ga)
3) 비소(As)
4) 붕소(B)
N형 반도체는 Ge나 Si에 무슨 물질을 섞는가?

1) 인듐(In)
2) 알루미늄(Al)
3) 붕소(B)
4) 인티몬(Sb)
페르미 준위가 온도에 관계없이 금지대의 중앙에 위치하면?

1) 진성 반도체이다.
2) N형 반도체이다.
3) P형 반도체이다.
4) 도체이다.
다음 중 도너(Donor)와 억셉터(Acceptor)를 옳게 나타낸 것은?

1) 도너는 3가 원소의 불순물
2) 도너는 4가 원소의 불순물
3) 억셉터는 3가 원소의 불순물
4) 억셉터는 5가 원소의 불순물
도너(Donor)와 억셉터(Acceptor)의 설명 중 옳지 않은 것은?

1) 반도체 결정에서 Ge이나 Si에 넣는 5가의 불순물을 도너라고 한다.
2) 반도체 결정에서 Ge이나 Si에 넣는 3가의 불순물에는 In, Ga, B 등이 있다.
3) Ge나 Si에 도너 또는 억셉터의 불순물을 넣어 결정하면 과잉 전자(excess electron)가 생긴다.
4) N형 반도체의 불순물이 억셉터이고 P형 반도체의 불순물이 도너이다.
전위 장벽의 설명 중에 맞는 것은?

1) PN 접합 사이의 전위차
2) 다이오드에 가할 수 있는 최대 전압
3) 다이오드를 동작시키기 위한 최소 전압
4) 다이오드의 도전을 방지하기 위한 최소 전압
P형 반도체에 흐르는 전류는?

1) 다수 캐리어만의 흐름이다.
2) 거의 자유 전자의 흐름이다.
3) 거의 정공의 흐름이다.
4) 소수 캐리어만의 흐름이다.
P형 반도체의 밴드 구조로서 억셉터 준위의 위치는?

1) 전도대 바로 아래에 있다.
2) 전도대에 있다.
3) 충만대에 있다.
4) 충만대 바로 위에 있다.
N형 반도체의 밴드 구조에서 도너 준위의 위치는?

1) 전도대 바로 위에 있다.
2) 전도대에 있다..
3) 충만대에 있다.
4) 충만대 바로 위에 있다.
N형 반도체의 밴드 구조에서 도너 준위의 위치는?

1) 전도대에 있다.
2) 전도대와 페르미 준위 사이에 있다.
3) 충만대 바로 위에 있다.
4) 충만대에 있다.
P형 반도체의 억셉터 원자는 정상 온도에서 어떤 성질을 갖는가?

1) 중성이다.
2) 정전하로 된다.
3) 부전하로 된다
4) 부전하에서 중성으로 된다.
정공은 다음의 어느 경우에 만들어지나?

1) 원자핵이 움직일 때
2) 전자가 공유 결합을 이탈할 때
3) 인가 전압에 의해서 자유 전자가 만들어질 때
4) 전도대에서 가전자대로 옮길 때
N형 반도체에만 존재하는 에너지 준위는?

1) 도너 준위
2) 억셉터 준위
3) 페르미 준위
4) 불순물 준위